Pelbagai

Memori DDR / DDR1 SDRAM

Memori DDR / DDR1 SDRAM


DDR atau seperti yang kadang-kadang disebut DDR1 SDRAM adalah pengembangan teknologi memori SDRAM pertama yang meningkatkan kinerjanya.

Inisial DDR bermaksud Double Data Rate dan dengan demikian memberikan peningkatan yang signifikan dalam kelajuan operasi teknologi SDRAM generasi sebelumnya pada saat diperkenalkan.

DDR SDRAM / DDR1 SDRAM adalah penjelmaan pertama teknologi ini dan ia mencapai peningkatan kepantasannya dengan memindahkan data dengan memindahkan data dua kali setiap kitaran, iaitu pada kedua sisi naik dan kemudian isyarat jam yang jatuh.

Sebagai hasil dari peningkatan kelajuannya, DDR / DDR1 SDRAM dengan cepat diadopsi dan kadar data tunggal, SDRAM segera menjadi usang.

Dasar-dasar DDR SDRAM / DDR1 SDRAM

DDR SDRAM menggunakan teknik termasuk kawalan masa yang sangat ketat untuk meningkatkan kadar pemindahan data hampir dua fakta.

Keperluan masa yang sangat ketat sering memerlukan penggunaan gelung terkunci fasa dan teknik penentukuran diri untuk memastikan pemasaannya cukup tepat.

Kunci operasi adalah bahawa DDR SDRAM dapat memindahkan data mengenai kedua-dua kenaikan dan juga penurunan denyut jam. Ini mempunyai banyak kelebihan, bukan hanya meningkatkan kadar data, tetapi juga mengurangkan masalah lain seperti keperluan integriti isyarat. Pada kelajuan ini, integriti isyarat dapat menjadi masalah penting, dan memaksimumkan kadar pemindahan data untuk kadar jam tertentu memberikan peningkatan di kawasan ini.


Kadar data DDR SDRAM dan kelajuan jam
Jenis SDRAM DDRKadar Data
Mb / s / pin
Kelajuan Jam Memori
(MHz)
DDR-266266133
DDR-333333166
DDR-400400200

SDDR DDR mengakses beberapa lokasi memori dalam satu arahan baca atau tulis.

Operasi membaca memori memerlukan pengiriman perintah "Aktifkan" diikuti dengan perintah "Baca".

Memori mempunyai latensi tertentu setelah data tersedia - memori memberikan ledakan data dari dua, empat, atau lapan lokasi memori pada kadar dua lokasi memori per kitaran jam. Oleh itu, adalah mungkin untuk membaca empat lokasi memori dalam dua pusingan jam berturut-turut.

Bank DDR SDRAM & tatasusunan

Memori SDDR DDR mempunyai banyak bank dalam memori. Ini membolehkan memori menyediakan akses memori berganda yang banyak, dan ini membolehkan lebar jalur memori keseluruhan dinaikkan. Bank memori sama dengan larik atau memori.

Bank-bank ini dapat dialamatkan secara terpisah, dan untuk menampung memori ini diperlukan. Oleh kerana ini dilakukan dalam notasi binari, empat bank memori DDR SDRAM memerlukan dua baris untuk menangani: BA0 & BA1.

Untuk memberikan contoh bagaimana DDR SDRAM beroperasi di bank, empat bank DDR SDRAM boleh beroperasi seperti berikut:

  • Perintah aktifkan membuka baris di bank SDRAM pertama.
  • Perintah Activate kedua mengaktifkan baris di bank kedua.
  • Perintah Baca atau Tulis boleh dihantar ke lajur di baris di bank satu dan dua di mana baris terbuka.
  • Perintah Precharge dihantar setelah operasi membaca atau menulis selesai. Ini menutup kawasan dan kawasan bank terbuka.
  • Memori siap untuk perintah Activate seterusnya.

DDR / DDR1 SDRAM kuasa

Walaupun DDR SDRAM memberikan peningkatan dalam kelajuan, ini memerlukan kos tenaga yang hilang.

Kuasa yang diperlukan oleh DDR / DDR1 SDRAM berkaitan dengan bilangan baris yang terbuka pada satu-satu masa. Oleh itu, untuk mendapatkan operasi terpantas, perlu membuka sejumlah baris bersama-sama, tetapi ini memerlukan lebih banyak tenaga. Untuk operasi kuasa rendah, hanya satu baris yang harus dibuka pada satu-satu masa di setiap bank, dan tidak boleh juga terdapat beberapa bank yang masing-masing mempunyai baris terbuka.

DDR / DDR1 SDRAM memberikan peningkatan prestasi yang ketara pada masa itu. Namun ia digantikan oleh SDRAM generasi seterusnya yang dikenali sebagai DDR2 SDRAM.


Tonton videonya: Comparison of DDR Memory for Your Laptop (Januari 2022).